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[新聞分享] 【IDM 2.0 三大技術重點】以奈米為基礎的命名已過時！英特爾提出製程節點的全新命名方式
英特爾於 2021 年推出 IDM 2.0，重返晶圓代工市場，並強化晶片製程技術。今（27）日，英特爾於 Intel Accelerated 記者會上詳盡揭露製程與封裝技術的最新路線規劃，當中包含全新的製程節點命名方式，未來 5 年的製程發展藍圖，以及晶圓及封裝技術的新進展，展現英特爾進軍製造的技術硬實力。下文為英特爾的 3 大技術重點：
1. 以奈米為基礎的命名已過時，英特爾公布製程節點的全新命名方式
英特爾創新科技總經理謝承儒說明，過去以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自 1997 年起採用閘極長度為準的傳統。因此英特爾公布其製程節點的全新命名結構，提供業界更精確的製程節點認知。而新命名將會套用到 10 nm SuperFin 後的晶片，例如 10 nm SuperFin 改為 Intel 7，Intel 7 nm 改為 Intel 4，後面則為 Intel 3、Intel 20A 等製程技術更為先進的晶片。
在新一代的晶片中，英特爾更看重每瓦性能表現。Intel 7 的每瓦性能表現比 10 nm SuperFin 高 10 – 15%，將應用於 2021 年的 Alder Lake 用戶端產品，以及 2022 年第一季量產的 Sapphire Rapids 資料中心產品。
Intel 4 的每瓦性能則比 Intel 7 高 20%，是第一個全面使用極紫外光（EUV）微影技術生產的晶片，預計 2022 下半年準備量產，2023 年出貨，將率先應用於 Meteor Lake 與資料中心 Granite Rapids。另外，該 EUV 技術提供者為英特爾子公司 IMS Nanofabrication，有在南科設立據點。至於更進階的 Intel 3，每瓦性能比 Intel 4 高 18%，預計 2023 下半年準備量產；它也是英特爾最後一代使用 FinFET 架構的晶片。